Højspændings N-kanal MOSFET med lav on-state-modstand og en hurtig tilkobling.

Tekniske detaljer:

• Kanaltype: N
• Drain-strøm kontinuerlig maks.: 11 A
• Drain source spænding: 600 V
• Drain source modstand maks.: 550 mOhm
• Maks. tærskelspænding for port: 5V
• Gate source spænding maks.: -30 V, +30 V
• Hus: TO220F
• Elektrisk montage: Printhul
• Benantal: 3
• Transistorkonfiguration: Enkelt
• Kanalform: Enhancement
• Effektafsættelse maks.: 49 W
• Operationel temperatur: -55 ...+150°C
• Tænd-forsinkelsestid typisk: 38 ns
• Antal elementer per chip: 1
• Transistormateriale: Si
• Størrelse: 10,71 x 4,93 x 16,13mm
• Gate-ladning ved Vgs typisk: 38,4 nC ved 10 V
• Indgangskapacitet ved Vds typisk: 1700 pF ved 25 V
• Gennemgangsspænding for diode: 1.4V
• Fremadrettet transkonduktans: 13S
• Slukke-forsinkelsestid typisk: 76 ns